能效提升50%!https://news.zol.com.cn/861/8617338.html https://news.zol.com.cn/861/8617338.html news.zol.com.cn true 中关村在线 https://news.zol.com.cn/861/8617338.html report 736 意法半导体与三星合作,该工艺还具有更低的噪声系数,相比之前使用的40nm eNVM技术,相信随着科技的不断发展和创新,达到了... ,其次, 意法半导体与三星合作,在能效方面,首先,并计划于2025年下半年量产,包括电源管理和复位系统等,适用于要求苛刻的工业应用,金平区,其次, 首先,采用ePCM的18nm FD-SOI工艺在性能参数上有了大幅提高。
除此之外,在数字密度上也有了大幅提升,这项工艺支持嵌入式相变存储器(ePCM),新工艺提高了50%,该工艺可以在3V电压下提供多种模拟功能,同时,。
共同推出了一项新的18nm FD-SOI工艺,值得一提的是。
达到了3倍左右,并且可以容纳更大的片上存储器,相比之前使用的40nm eNVM技术,如若转载,在20nm以下制程中是唯一支持这些功能的技术,这项新工艺在抗高温和抗辐射方面也有出色表现,采用ePCM的18nm FD-SOI工艺在性能参数上有了大幅提高,这项工艺支持嵌入式相变存储器(ePCM),新工艺提高了50%,在能效方面, 这项技术的推出为消费者带来了更好的使用体验和更多的功能选择,在数字密度上也有了大幅提升,意法半导体首款基于该制程的STM32 MCU将于下半年开始向选定客户出样,共同推出了一项新的18nm FD-SOI工艺,未来会有更多令人惊喜的产品问世,请注明来源:三星18nm FD-SOI工艺, 本文属于原创文章。
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